Was ist der Unterschied zwischen SIMM, DIMM und RIMM ?
Mit SIMM(Single In-Line Memory Module), DIMM (Dual In-Line Memory Module) und RIMM (Rambus In-Line Memory Module) werden unterschiedliche Bauformen von Speichermodulen unterschieden. SIMM-Module, auch PS/2-Module genannt, sind 72polige Bausteine mit einer Zugriffszeit zwischen 60 und 70 Nanosekunden (ns). DIMM-Module (meistens SDRAM) sind 168polige Bausteine mit einer Zugriffszeit zwischen 6 und 12 ns. Moderne Mainboards unterstützen meist nur noch DIMM-Module. RIMM ist die Bauform von der Rambus Speicher.

Was ist der Unterschied zwischen PC66, PC100 und PC133 Speicher ?
Mit PC66, PC100 und PC133 werden unterschiedlich schnelle SDRAM Module unterschieden. Auf Mainbords mit einem Bustakt von 66MHz können alle Module (PC66, PC100, PC133) eingesetzt werden. Auf Mainboards mit 100MHz Bustakt müssen PC100 oder PC133 Module eingesetzt werden, weil nur diese eine sehr schelle Zugriffszeit von um die 8ns haben. Diese wird benötigt, um den hohen Bustakt moderner Boards bedienen zu können. Sehr moderne Boards verfügen bereits über 133 MHz Bustakt und hier dürfen nur noch PC133 Module eingesetzt werden.

Kann man SIMM- und DIMM-Module mischen ?
In manchen Fällen ist dies möglich, es wird aber vom Mischbetrieb abgeraten, weil dabei die DIMM Module von den langsameren SIMM-Modulen ausgebremst werden können. In vielen Fällen sind Systeme mit Mischbetrieb außerdem noch instabil. Es ist immer ratsam, nur eine Sorte Speicher im Rechner zu verwenden, um Kompatibilitätsprobleme zu vermeiden.

Kann man EDO- und FPM-Speichermodule mischen ?
Grundsätzlich Ja. In Sockel 7 Systemen jedoch immer nur paarweise, d.h. je ein EDO und ein FPM Modul zusammen ist nicht möglich. In Slot 1 Systemen wird von der Verwendung von EDO oder FPM Modulen generell abgeraten. Stattdessen sollte man das schnellere SDRAM verwenden.

Was ist Parity und Non-Parity ?
Speicher mit Parity ist in der Lage einfache interne Fehler selbst zu erkennen und ggf. den Computer anzuhalten. Speicher ohne Parity hat keinerlei Funktionen zur Fehlererkennung.

Was ist ECC ?
ECC steht für Error Checking and Correcting. Dieser Speichertyp ist in der Lage interne Fehler zu erkennen und selbst zu korregieren. In besonders schwerwiegenden Fällen wird der gesamte Computer angehalten. Speicher mit ECC ist moderner als Speicher mit Parity.

Was ist DRAM ?
DRAM steht für Dynamic Random Access Memory. Im Allgemeinen findet man diesen diesen Speichertyp als SIMM-Module vor, wobei DRAM eigentlich veraltet ist. Moderner Speicher ist heute SDRAM.

Was ist FPM DRAM ?
FPM DRAM steht für Fast Page Mode DRAM. Dieser Speichertyp ist schneller als herkömmliches DRAM und existiert nur auf SIMM-Modulen. Fast Page Speicher ist veraltet, kann aber noch auf älteren Mainboards eingesetzt werden.

Was ist EDO DRAM ?
EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Im Vergleich mit SDRAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfällt. In Systemen mit 66MHz Bustakt kann daher auch EDO DRAM verwendet werden, sofern passende Speicherbänke vorhanden sind.

Was ist SDRAM ?
SDRAM steht für Synchronous Dynamic Random Access Memory. Dieses hat eine völlig andere Architektur als DRAM und ist daher wesentlich schneller. Diesen Speichertyp gibt es nur als 168-polige DIMM-Module für System mit 66 MHz, 100 MHz und 133 MHz Bustakt.
 

Was ist SDRAM-DDR ?
SDRAM steht für SDRAM Double Data Rate. Hierbei handelt es sich um eine schnelle Weiterentwicklung des SDRAM, die z.Zt. primär auf Grafikkarten der gehobenen Leistungsklasse eingesetzt wird.

Was ist DDR2-RAM ?
Beim alten SDRAM wurden der Chip-Kern, der I/O-Buffer und der Speicherbus gleichschnell - eben synchron - getaktet. Daher stammt ja auch der Name SDRAM steht für Synchronous Dynamic Random Access Memory oder auch oft als Single Data Rate bezeichnet. Daraus ergab sich eine maximale Bandbreite von etwa 1,05 GByte pro Sekunde. Um schnelleren Speicher zu erhalten löste man diese Synchronisation auf. Jetzt gab es die Möglichkeit die Datenübertragung nicht nur bei aufsteigender Taktflanke wie beim SDRAM sondern bei auf- und absteigender Taktflanke zu übertragen. Daraus ergab sich eine Verdoppelung der Taktrate bei gleicher Busbreite. Man war bei 2,1 GByte/s angekommen. (DDR266 auch als PC 2100 bekannt) Als nächste Steigerung verdoppelte man den Puffer-Takt von 133 MHz auf 266 MHz. Dadurch wurde die Geschwindigkeit erneut verdoppelt. Man hatte jetzt bereits eine vierfache Steigerung der Taktrate erreicht. (DDR2-533-RAM auch als PC2-4300 bekant)

Was ist RDRAM ?
RDRAM steht für Rambus Dynamic Random Access Memory. Dies ist ein völlig neuer Speichertyp, bis zu 3 mal schneller als die schnellsten PC100 SDRAM Module. RDRAM ist nicht kompatibel zu allen bisherigen Speichertypen und verlangt ein spezielles Mainboard-Design. Dieser Speichertyp ist zur Zeit noch kaum verbreitet, wird aber in der Zukunft noch eine große Rolle spielen.

Was ist CAS
CAS steht beim Speicher für Column Address Strobe. Das ist die Signalleitung für die Spaltenadressen - DRAM's arbeiten nämlich mit einer Marix-Addressierung über Spalten (Columns) und Zeilen (Rows). Die zugehörige Latenz beschreibt also die Anzahl von Speichertaktzyklen, die bis zu einer validen Spaltenadressierung vergehen. Bei den Latenzen existieren mehrere, die CAS (Column Address Strobe) Latenz, die RAS zu CAS Latenz und die RAS (Row Address Strobe) Latenz, weiters existiert auch noch das RAS Precharge Timing. Column und Row Address bedeuten die Addressierung von Zeile und Spalte innerhalb des Speichers. 
Für diese Adressierungen sind Pausenzyklen nötig, hierbei gibt es 2 verschiedene in jedem besseren System-BIOS zur Auswahl: 2 und 3 Pausenzyklen. 2 Zyklen sind schneller als 3, und je nach höherer Taktfrequenz des Speichers haben die Latenzen größere Auswirkung.
Ein weiteres Kriterium ist die Taktperiode, welche in Nanosekunden (ns) angegeben wird. Taktperiode und Taktfrequenz sind eng miteinander verknüpfte Größen und stellen im Prinzip sogar dasselbe dar. Ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 8ns ist "offiziell" für 100MHz geeignet. Ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 7.5ns ist für 133MHz geeignet, Ein 7.0ns Speicher für 143MHz, ein 6.0ns Speicher wäre bereits für 166MHz geeignet und so weiter. Die dazu benutze einfache Formel lautet "1 / Takt * 1000 = Zugriffszeit", oder "1 / Zugriffszeit * 1000 = Takt". In der Praxis kann ein SDRAM jedoch auch auf tieferen Zugriffszeiten (d.h. mit mehr Takt) betrieben werden als auf dem Chip aufgedruckt ist.  

CL2 und CL3
Die Angabe 2-2-2 (CAS, RAS to CAS, RAS) oder CL2 (CAS Latency) weist bei pc133 schon auf sehr guten Speicher hin. Muss man aber beim Overclocking auf 140, 150 oder mehr MHz auf 3-2-2, 2-3-2, 3-3-2 oder gar 3-3-3 herabsetzen geht sehr viel Performance verloren, das gesamte System kann um bis zu 10% verlangsamt werden. Hier beginnt High-Quality SDRAM zu greifen. Er soll die Möglichkeit bieten extrem hoch zu takten und den Speicher dennoch auf 2-2-2 betreiben zu können.

Speicherangaben wie PC2100, PC2700, PC4300 usw.
Damit eine moderne CPU, etwa eine Athlon-CPU auf Touren kommt, ist schneller Arbeitsspeicher Grundvoraussetzung. Neben veraltetem PC1600-Speicher finden sich PC2100- und PC2700-Module auf dem Speichermarkt. Speicher-Module: 
Offiziell setzt AMD noch auf PC2100-Riegel. DDR-SDRAM-Speichermodule liegen derzeit in drei Versionen vor: 
PC1600 (oder DDR200), PC2100 (oder DDR266) und PC2700 (DDR333), die sich in der Taktrate, Bandbreite und CAS-Latenz (CL) unterscheiden. 
Die Speicherbandbreite des jeweiligen Speichertyps berechnet sich näherungsweise aus dem Produkt der Speicherbusbreite (64 Bit breit = 8 Byte) und dem Speichertakt: 
Für PC2100-Module bedeutet das ein theoretisches Bandbreiten-Peak von 2.100 MByte pro Sekunde (8 Byte mal 133 MHz mal dem DDR-Faktor 2). Entsprechend vergrößert sich dieser Transferwert bei PC2700-Modulen auf rund 2.700 Millionen Byte pro Sekunde (8 Byte mal 166 MHz mal 2). 
Die jeweilige Angabe hat also mit der Taktfrequenz der CPU nichts zu tun, sondern gibt Auskunft über die Bandbreite des Speichers. 

Was ist Cache ?
 
Ein Cache ist ein relativ kleiner Hochgeschwindigkeitsspeicher, üblicherweise SRAM, der häufig benötigte Daten zwischen der CPU und dem Hauptspeicher puffert. Die CPU kann auf Daten im Cache sehr viel schneller zugreifen als auf Daten aus dem Hauptspeicher. Ein kleiner Cache-Speicher kann daher die Performance eines Computers ohne große zusätzliche Kosten erheblich verbessern. Bei Cache wird - je nach Position des Speichers im Datenstrom - zwischen verschiedenen Levels unterschieden.

Was ist Level 0 Cache ?
 
Entkoppelt den Datenstrom der unterschiedlichen Recheneinheiten innerhalb der CPU. Seine Grösse liegt bei etwa 1 Byte bis 128 Byte.

Was ist Level 1 Cache ?
 
Entkoppelt den Datenstrom innerhalb der CPU von der Außenwelt, Größe von wenigen Bytes (128) bis zu mehreren KBs.

Was ist Level 2 Cache ?
 
Entkoppelt den Datenstrom der CPU vom Memory Bus, an dem der Hauptspeicher angeschlossen ist. Grösse von 256 KBs bis zu mehreren MBs.

Was ist Level 3 Cache ?
 
Entkoppelt ggf. bei Mehrprozessorsystemen den separaten Systembus vom Memory Bus.